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                四川高纯气体|电子高纯气体分析
                作者:admin 发布日期:2023/12/18 关注次数: 二▓维码分享

                电子高纯气体是半导体生产制造中不可或缺的关键性材料,同时也是集成电路制造中的原材料,其占比仅次于硅片,占晶圆制造成本的14%。其在半导体产品○制程工艺中广泛应用于各个半导体制造工艺中,气体的纯度和洁净度直接影响到光电子、微电子元器件的质量、集成度、特定技术指标和成品率,并从根本上制约着电路和〓器件准确性,对于半导体集成电路芯片的质量和性能具有重要意义。因此,对于高纯气的化学监控也成为重要∏的质控方向。

                一般来说,高纯气体大致可以分为大宗气体及电子特气两类:

                氮、氢、氧、氩、氦等大宗气体广泛用于在半导体芯片生产的各个过程中▆,起到氛围保护、输送特气、参与反↑应等作用,对气体纯度要求高。

                半导体行业常用△大宗气体

                ● 氩 Argon:在晶体生长、注入、干刻蚀、溅射、氧化退火工艺中的惰性气体∩。

                ● 氦Helium:载气、吹扫气或惰性气体,泄露测试。

                ●氢Hydrogen:硅沉积工艺的载气。

                ● 氮Nitrogen:扩散用载气,晶圆存储、真空泵、气枪的№吹扫气,防止去胶机吹脱,不间断气动控制系统∏ 。

                ●氧Oxygen:二氧化硅的化学气相沉◥积,热氧【化生长,扩散、沉积用载气,等离子→光刻胶去除。

                ● OFA无油空气:空气轴承: 高压无油空气 (~ 1034 kPa or 10.3 bar) 保护光学元件: HPOFA + 纯化器去︻除无机物和有机物 (HC, NO/NO2) 至 < 5 ppb. 管道采用316L EP 管(直径可达8 inch)

                四川高纯气体


                半导体工业常用特气

                硅烷(SiH4):有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相√淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等,还可用●于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

                锗烷(GeH4):剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料,锗烷在电⊙子工业中主要用于化学气相淀积,形成各种不同的硅锗合金用于々电子元器件的制造。

                磷烷(PH3):剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂,磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工◢艺、化合物半☉导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。

                砷烷(AsH3):剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

                氢化锑(SbH3):剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺】杂剂。

                乙硼烷(B2H6):窒息臭味的◥剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂,它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。

                三氟化硼(BF3):有毒,强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子↘注入源和等离子刻蚀气体。

                三氟化氮(NF3):毒性较强。主要用于化学气相淀积(CVD)装置▓的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合,用作等离子体工艺的蚀刻气体,例如,NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻;NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻,也用于NbSi2的蚀刻。

                三氟化磷(PF3):毒性强。作为气态磷离子注入源。

                四氟化硅(SiF4):遇水生成腐蚀性强的氟硅酸。主要用于氮化硅(Si3N4)和硅化钽(TaSi2)的等离子蚀刻、发光二 管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。

                五氟化磷(PF5):在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。

                四氟化碳(CF4):作为等离子蚀刻ζ工艺中常用的工作气体,是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。

                六氟乙烷(C2H6):在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃♂的干蚀气体。

                全氟丙烷(C3F8):在≡等离子蚀刻工艺中,作为二ζ 氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。

                *在实际生产中,各种特气通常混合为混合气体,应』用在外延生长、化学气相沉积(CVD)、掺杂、刻蚀等工艺中。


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